Infineon CoolMOSTM P7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 26 W, 3-Pin IPAN60R180P7SXKSA1 PG-TO-220

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RS Best.-Nr.:
273-7458
Herst. Teile-Nr.:
IPAN60R180P7SXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-TO-220

Serie

CoolMOSTM P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.18Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET der Cool-MOS-Plattform der 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies eingeführt wurde. Die 600 V Cool MOS P7-Serie ist der Nachfolger der Cool MOS P6-Serie. Das Produkt kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr geringer Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Body-Diode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste die Anwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler.

Benutzerfreundlichkeit

Hervorragende ESD-Robustheit

Vereinfachtes Wärmemanagement

Deutliche Reduzierung des Schaltaufwands

Geeignet für hartes und weiches Schalten

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