Infineon IPT60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 167 W, 8-Pin IPT60R080G7XTMA1 HSOF

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222-4940
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R080G7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IPT60R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Breite

10.58 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS TM C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7-Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.

Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G

Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

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