ROHM R6030KNZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 223-6210
- Herst. Teile-Nr.:
- R6030KNZC17
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 300 + | CHF.5.484 | CHF.1'644.38 |
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- RS Best.-Nr.:
- 223-6210
- Herst. Teile-Nr.:
- R6030KNZC17
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | R6030KNZ | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 86W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie R6030KNZ | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 86W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-3PF-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich für Schaltanwendungen verwendet.
Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
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