ROHM R6077VNZ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 113 W, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 265-5425
- Herst. Teile-Nr.:
- R6077VNZC17
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-5425
- Herst. Teile-Nr.:
- R6077VNZC17
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Serie | R6077VNZ | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.051Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Serie R6077VNZ | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.051Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen. Das Produkt ist auf einer Cu-Platte montiert und ist halogenfrei.
Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebsschaltungen
Halogenfreie Formmasse
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