ROHM R6077VNZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 113 W, 3-Pin R6077VNZC17 TO-3PF

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.8.862

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.8.86
10 - 24CHF.8.15
25 - 49CHF.7.98
50 - 99CHF.7.82
100 +CHF.7.67

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
265-5425
Herst. Teile-Nr.:
R6077VNZC17
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-3PF

Serie

R6077VNZ

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.051Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

113W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen. Das Produkt ist auf einer Cu-Platte montiert und ist halogenfrei.

Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebsschaltungen

Halogenfreie Formmasse

Verwandte Links