ROHM R6055VNZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 99 W, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 265-5423
- Herst. Teile-Nr.:
- R6055VNZC17
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-5423
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- R6055VNZC17
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | R6055VNZ | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.071Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 99W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie R6055VNZ | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.071Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 99W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free Plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen.
Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebsschaltungen
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