Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin IPD26N06S2L35ATMA2 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPD26N06S2L35ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.95V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie in DPAK-Gehäuse. Sie bietet die Vorteile höchster Strombelastbarkeit, niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz und robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Kfz AEC Q101 zugelassen

• MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow

• Betriebstemperatur: 175 °C.

• Grünes Gehäuse

• Sehr niedrige Rds

• 100 % Lawinenprüfung

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