Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 110 A 6.25 W, 8-Pin SIR5102DP-T1-RE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SIR5102DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

N-Channel 100 V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.6mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Verlustleistung Pd

6.25W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.26mm

Länge

6.25mm

Breite

1.12 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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