Vishay P-Channel 60-V Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 11.5 A 53 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 225-9934
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF 0.778 | CHF 19.54 |
| 125 - 225 | CHF 0.707 | CHF 17.59 |
| 250 - 600 | CHF 0.667 | CHF 16.62 |
| 625 - 1225 | CHF 0.586 | CHF 14.67 |
| 1250 + | CHF 0.465 | CHF 11.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9934
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | P-Channel 60-V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 136mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | -0.85V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie P-Channel 60-V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 136mΩ | ||
Durchlassspannung Vf -0.85V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
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