Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 12.5 A 2.2 W, 8-Pin Si6423ADQ-T1-GE3 TSSOP

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228-2823
Herst. Teile-Nr.:
Si6423ADQ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSSOP

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

112nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Batterie- und Stromüberwachungsanwendungen verwendet.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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