Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 3 A 29 W, 3-Pin SiHA5N80AE-GE3 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-2840
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.10.185
Auf Lager
- Zusätzlich 855 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.037 | CHF.10.19 |
| 50 - 245 | CHF.1.932 | CHF.9.68 |
| 250 - 495 | CHF.1.827 | CHF.9.15 |
| 500 - 1245 | CHF.1.733 | CHF.8.65 |
| 1250 + | CHF.1.323 | CHF.6.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2840
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 3 A 29 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 9 A 35 W, 3-Pin SIHA24N80AE-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 165.3 A 179 W, 3-Pin SIHP21N80AEF-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 15 A 179 W, 3-Pin SiHP17N80AEF-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin SiHP6N80AE-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 4.3 A 29 W, 3-Pin SiHA690N60E-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 37 W, 3-Pin SiHF30N60E-GE3 TO-220
- Vishay SiHA105N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 35 W, 3-Pin SIHA105N60EF-GE3 TO-220