Vishay SiHFPS37N50A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 36 A 446 W, 3-Pin Super-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2855
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHFPS37N50A-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 228-2855
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- SiHFPS37N50A-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | Super-247 | |
| Serie | SiHFPS37N50A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße Super-247 | ||
Serie SiHFPS37N50A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie SiHFPS37N50A von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 36 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiHFPS37N50A-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es handelt sich um eine Durchsteckkomponente in einem Super-247-Gehäuse, die für Anwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste thermische Handhabung und eine hohe Ablassquellenspannung erforderlich sind. Das Gerät arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für einen kontinuierlichen Ableitstrom und eine erhebliche Verlustleistung spezifiziert, womit es für anspruchsvolle Leistungsschaltaufgaben geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 36 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung der Handhabung schwerer Lasten • 130 mΩ Rds(on), wodurch Leitungsverluste unter Last reduziert werden • 446 W Verlustleistung verbessert die thermische Belastbarkeit in Schaltkreisen • 180 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbare Antriebsanforderungen • Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V bietet eine gemeinsame Gate-Drive-Marge
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Wechselrichter- und Motorantriebsstufen • Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Kann für Induktionsheizungs- und Schweißstrommodule verwendet werden • Einsatz mit Leistungsgleichrichter- und Schaltarrays in der Automatisierung • Geeignet für die Bewertung von Gate-Antrieben in der Leistungselektronik
Für welche thermischen Grenzwerte sollte ich es entwerfen?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu einer maximalen Temperatur von 150 °C und bis zu einer minimalen Temperatur von -55 °C ausgelegt, daher sollte das Wärmemanagement sicherstellen, dass die Sperrschichttemperatur unter Verlustbedingungen innerhalb dieses Bereichs bleibt.
Wie sollte ich das Gate-Treiber-Design für diese Komponente herangehen?
Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 180 nC bei den angegebenen Vgs
Design-Treiberstrom und Schaltneigung zur Steuerung von Schaltverlusten und entsprechend EMI.
Welche Gehäuse- und Montageaspekte gelten?
Er wird in einem Super-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften geliefert
sorgen Sie für ausreichendes Leiterplattenkupfer und einen Kühlkörper für die angegebene Verlustleistung von 446 W, um den thermischen Widerstand zwischen Verbindung und Umgebung zu bewältigen.
Gibt es spezifische Spannungsbegrenzungen für das Gate?
Das Gate darf eine maximale Gate-Source-Spannung von 30 V nicht überschreiten, um Schäden am Gate-Oxid zu verhindern.
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