Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin PowerPAK

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Oberflächenmontageanwendungen vorgesehen, bei denen eine kompakte, robuste Schaltleistung erforderlich ist. Die Komponente bietet eine erhebliche Dauerstromfähigkeit bei gleichzeitig hohen Drain-Source-Spannungen für den Einsatz in industriellen und elektronischen Leistungsstufen.

• 650 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 32 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhaftes Lastmanagement
• 70 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 42 nC verbessert die Schaltgeschwindigkeitssteuerung
• Die Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte Verbindungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Frontenden
• Wird für Leistungsfaktorkorrekturstufen in Wandlern verwendet
• Kann für resonante und hart schaltende Wechselrichterbeine verwendet werden
• Wird mit diskreten Transistor-Arrays in Power-Management-Modulen verwendet

Das Gate kann bis zu 30 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden

Das oberflächenmontierbare PowerPAK-Gehäuse mit vier Stiften erfordert Wärmeleitungen oder einen Kühlkörper auf der Leiterplatte, um unter bestimmten Bedingungen bis zu 184 W abzuleiten.

Er ist für den Dauerbetrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz über große Umgebungs- und Anschlusstemperaturschwankungen hinweg.

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus, das leitet, wenn eine positive Gate-to-Source-Spannung angelegt wird.