Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 335 A 104 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2916
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.835
Auf Lager
- Zusätzlich 2'980 Einheit(en) mit Versand ab 27. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.767 | CHF.13.83 |
| 50 - 120 | CHF.2.495 | CHF.12.46 |
| 125 - 245 | CHF.1.939 | CHF.9.70 |
| 250 - 495 | CHF.1.717 | CHF.8.60 |
| 500 + | CHF.1.576 | CHF.7.89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2916
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 335A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 124nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 335A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 124nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 25-V-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 335 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -20 V / -104 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 126 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 77.4 A 104 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 146 A 104 W, 8-Pin SO-8