Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 335 A 104 W, 8-Pin SIRA20BDP-T1-GE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
228-2916
Herst. Teile-Nr.:
SIRA20BDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

335A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.58mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

124nC

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 25-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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