Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 183 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2954
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ147ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.76V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 183W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.76V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 183W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay TrenchFET-KFZ-P-Kanal ist ein 40-V-Leistungs-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
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