STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 127 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 228-3030
- Herst. Teile-Nr.:
- STL105N8F7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STL105N8F7AG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trenchgate-Struktur, die einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bewirkt, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.
Zu den niedrigsten RDS(on) auf dem Markt
Ausgezeichnetes Schaumstoff (Leistungszahl)
Niedriges Crss/Ciss Verhältnis für elektromagnetische Störfestigkeit
Hohe Lawinenbeständigkeit
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