Infineon IAUT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 68 W, 8-Pin PQFN

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Herst. Teile-Nr.:
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IAUT

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der IAUT-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUZ40N10S5N130ATMA1


Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor mit Verstärkungsmodus, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Gate-Handhabung und eine hohe Dauerstromfähigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 100 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht eine höhere Gleichspannungsumwandlung
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung eines dauerhaften Hochlastbetriebs
• Niedrige Rds(on) von 13 mΩ reduziert Leitungsverluste beim Schalten
• 68 W Verlustleistung ermöglichen einen größeren thermischen Kopfraum
• Gate-Source-Grenzwert von ±20 V, der Toleranz für Gate-Drive-Swings bietet
• Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C gewährleistet den Betrieb in rauen Umgebungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für DC/DC-Wandlerstufen in Stromversorgungen
• Ideal für Hochstromschaltvorgänge in Automobilumgebungen
• Wird für das Energiemanagement in Subsystemen von Elektrofahrzeugen verwendet
• Kann für oberflächenmontierte Designs verwendet werden, die eine bleifreie Verpackung erfordern
• Wird mit Batteriemanagement- und Verteilerschaltkreisen verwendet

Welchen Gehäusetyp verwendet er für die Leiterplattenmontage?


Er wird in einem bleifreien PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine zuverlässige Schaltung wichtig?


Die Gate-Auslenkungen müssen innerhalb von ±20 V bleiben, um die Gate-Dielektrikumbelastung zu vermeiden und einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Dauerstromfähigkeit aus?


Die Nennleistung von 68 W weist darauf hin, dass das Gerät erhebliche Wärme bewältigen kann. Für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 40 A sind ausreichende Leiterplatten-Wärmeleitungen und eine Kupferfläche erforderlich.

Welche Umgebungsgrenzen regeln den Einsatz unter extremen Bedingungen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in einem breiten Bereich von Umgebungs- und erhöhten Temperaturen.

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