Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN

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229-1813
Herst. Teile-Nr.:
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IAUT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der IAUZ40N10S5N130 ist ein 10 mR 80 V MOSFET in einem 3,3 x 3,3 mm2 S3O8-Gehäuse mit der führenden OptiMOSTM-5-Technologie von Infineon.

Zusammenfassung der Merkmale


•OptiMOSTM 5 – Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

•N-Kanal – Verstärkungsmodus – Normalpegel

•AEC Q101 qualifiziert

•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

•175 °C Betriebstemperatur

•Green Product (RoHS-konform)

•100 % Lawinengeprüft

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