Infineon IAUT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

RS Best.-Nr.:: 229-1809
Herst. Teile-Nr.:: IAUT300N08S5N012ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon IAUT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:: 229-1809
Herst. Teile-Nr.:: IAUT300N08S5N012ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	300A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	HSOF
	Serie	IAUT
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße HSOF
	Serie IAUT
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUT300N08S5N012ATMA2

MOSFET der IAUT-Serie von Infineon, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 300 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUT300N08S5N012ATMA2

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für anspruchsvolle Leistungsschaltfunktionen im Automobil- und Industriebereich entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und wird in einem oberflächenmontierten HSOF-Gehäuse geliefert, das für Leiterplatten-Layouts mit hohem Stromverbrauch geeignet ist. Das Gerät ist spezifiziert, um typischen Automobil-Gate-Ausbrüchen standzuhalten und liefert die Spannungs- und Stromkapazität, die für robuste Leistungsumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 1,2 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Der Ablasswert von 80 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 300 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromlasten
• Maximale Verlustleistung von 375 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die Gate-Toleranz von ±20 V eignet sich für Gate-Drive-Signale im Automobilbereich
• Die AEC-Q101-Qualifizierung erfüllt die Anforderungen an die Stressüberwachung im Automobilbereich

Anwendungsbereich

• Geeignet für Traktionsumrichterstufen in elektrifizierten Fahrzeugen
• Ideal für Hochstrom-DC-DC-Wandler-Ausgänge
• Einsatz mit Motor-Antriebswechselrichtern und Traktionssteuerungen
• Kann für die Stromverteilung in Automobilsystemen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Leistungsmodule, die eine Oberflächenmontage erfordern

Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.

Welche Gehäusetypen und Befestigungstechnik werden verwendet?

Das Gerät wird in einem HSOF-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.

Wie verhält sich das Gerät bei Gate-Spannungen in Kfz-Systemen?

Es nimmt Gate-Source-Spannungen von bis zu ±20 V auf und ermöglicht so typische Antriebsmargen im Automobilbereich.

Welchen Kanal-Leitungsmodus und -Typ verwendet er?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus, das für Schaltanwendungen entwickelt wurde.