Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 85 A 88 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
229-1834
Herst. Teile-Nr.:
IPD85P04P4L06ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

85A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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