Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W IPD50P03P4L11ATMA2 PG-TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD50P03P4L11ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

PG-TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-0.31 V

Durchlassspannung Vf

-1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der OptiMOS-2-Leistungstransistor von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsstromverluste für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis

Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

Höchste Strombelastbarkeit

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