Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.2.344

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2'428 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.1.172CHF.2.35
20 - 48CHF.1.05CHF.2.10
50 - 98CHF.0.97CHF.1.95
100 - 198CHF.0.909CHF.1.83
200 +CHF.0.586CHF.1.17

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3842
Herst. Teile-Nr.:
IPD50P03P4L11ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

PG-TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Durchlassspannung Vf

-1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der OptiMOS-2-Leistungstransistor von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsstromverluste für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis

Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

Höchste Strombelastbarkeit

Verwandte Links