Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -85 A 88 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3865
Herst. Teile-Nr.:
IPD85P04P407ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-85A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, DIN IEC 68-1

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb

Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis

Höchste Strombelastbarkeit

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