Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -50 A 58 W, 3-Pin IPD50P04P4L11ATMA2 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD50P04P4L11ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Keine Ladungspumpe erforderlich für High-Side-Antrieb

Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis

Höchste Strombelastbarkeit

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