Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -50 A 58 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3845
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 58 W Verlustleistung – IPD50P04P4L11ATMA2
Bei diesem MOSFET handelt es sich um einen P-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Baugruppen vorgesehen ist. Es arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für anspruchsvolle Temperaturumgebungen ausgelegt, wodurch es sich für Anwendungen eignet, bei denen es auf thermische Belastbarkeit und kompakte Verpackung ankommt.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 10,6 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -50 A unterstützt Hochstromlasten
• Gate-Ladung 45 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximal-Vgs 5 V gewährleistet sichere Gate-Treibergrenzen
• Die Oberflächenmontage des TO-252 ermöglicht kompakte Leiterplattenlayouts
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -50 A unterstützt Hochstromlasten
• Gate-Ladung 45 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximal-Vgs 5 V gewährleistet sichere Gate-Treibergrenzen
• Die Oberflächenmontage des TO-252 ermöglicht kompakte Leiterplattenlayouts
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Hochstrom-Polaritätsschaltkreise
• Wird mit Wärmemanagement für erweiterte Temperatursysteme verwendet
• Kann für die Gleichstromsteuerung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden
• Ideal für Hochstrom-Polaritätsschaltkreise
• Wird mit Wärmemanagement für erweiterte Temperatursysteme verwendet
• Kann für die Gleichstromsteuerung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden
Welchen extremen Temperaturen kann es standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welche Verpackungs- und Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Wie verhält sich das Gerät unter Bedingungen mit hoher Leistung?
Es ermöglicht eine Verlustleistung von bis zu 58 W und ermöglicht so eine dauerhafte Leistungsaufnahme mit entsprechendem Wärmemanagement.
Gibt es Grenzen für die Drain-Source-Spannung und den Gate-Treiber?
Das Gerät gibt eine maximale Ablass-Quellenspannung von -40 V und eine maximale Gate-Quellenspannung von 5 V an.
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