Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -50 A 58 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 258-3843
Herst. Teile-Nr.:: IPD50P04P4L11ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -50 A 58 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-3843
Herst. Teile-Nr.:: IPD50P04P4L11ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-40V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10.6mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-1V
	Maximale Verlustleistung Pd	58W
	Gate-Source-spannung max Vgs	5V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	45nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -40V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.6mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -1V
	Maximale Verlustleistung Pd 58W
	Gate-Source-spannung max Vgs 5V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD50P04P4L11ATMA2

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 58 W Verlustleistung – IPD50P04P4L11ATMA2

Bei diesem MOSFET handelt es sich um einen P-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Baugruppen vorgesehen ist. Es arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für anspruchsvolle Temperaturumgebungen ausgelegt, wodurch es sich für Anwendungen eignet, bei denen es auf thermische Belastbarkeit und kompakte Verpackung ankommt.

Merkmale und Vorteile:

• Niedrige Rds(on) von 10,6 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -50 A unterstützt Hochstromlasten
• Gate-Ladung 45 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximal-Vgs 5 V gewährleistet sichere Gate-Treibergrenzen
• Die Oberflächenmontage des TO-252 ermöglicht kompakte Leiterplattenlayouts

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Hochstrom-Polaritätsschaltkreise
• Wird mit Wärmemanagement für erweiterte Temperatursysteme verwendet
• Kann für die Gleichstromsteuerung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden

Welchen extremen Temperaturen kann es standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.

Welche Verpackungs- und Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Wie verhält sich das Gerät unter Bedingungen mit hoher Leistung?

Es ermöglicht eine Verlustleistung von bis zu 58 W und ermöglicht so eine dauerhafte Leistungsaufnahme mit entsprechendem Wärmemanagement.

Gibt es Grenzen für die Drain-Source-Spannung und den Gate-Treiber?

Das Gerät gibt eine maximale Ablass-Quellenspannung von -40 V und eine maximale Gate-Quellenspannung von 5 V an.