Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 35 A 71 W, 3-Pin PG-TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3839
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3839
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-T von Infineon ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.
N-Kanal – Verstärkungsmodus
Kfz-Zulassung AEC Q101
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
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