Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 35 A 71 W, 3-Pin PG-TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3840
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.11
Auf Lager
- 4'925 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.222 | CHF.11.09 |
| 50 - 120 | CHF.1.818 | CHF.9.09 |
| 125 - 245 | CHF.1.707 | CHF.8.54 |
| 250 - 495 | CHF.1.576 | CHF.7.88 |
| 500 + | CHF.1.465 | CHF.7.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3840
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-T von Infineon ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.
N-Kanal – Verstärkungsmodus
Kfz-Zulassung AEC Q101
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 35 A 71 W, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 71 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -80 A 88 W, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 30 A PG-TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -85 A 88 W TO-252