Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 55 V / 30 A PG-TO-252

RS Best.-Nr.:: 260-5128
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N06S2L23ATMA3
Marke:: Infineon

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 55 V / 30 A PG-TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 260-5128
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N06S2L23ATMA3
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	PG-TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	23mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße PG-TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD30N06S2L23ATMA3

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 55 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD30N06S2L23ATMA3

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschalt- und Leistungsmanagementfunktionen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, der für industrielle thermische Umgebungen geeignet ist, und wird in einem kompakten TO-252-Gehäuse für die Montage auf Platinenebene angeboten. Das Gerät erfüllt die Normen für eingeschränkte Stoffe für elektronische Bauteile.

Merkmale und Vorteile:

• 23 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt anspruchsvolle Stromversorgungen
• Die Nennleistung von 55 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungssystemen
• Das oberflächenmontierte TO-252-Gehäuse ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C sorgt für Funktionalität in extremen Umgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Gleichstromverteilung und Lastschaltung
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen in Kompaktumrichtern
• Wird für wärmetolerante industrielle Steuerungselektronik verwendet
• Kann für das Energiemanagement in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromschaltstufen in Stromversorgungen

Welche Befestigungsmethode ist erforderlich?

Sie ist für die Oberflächenmontage mit einer PG-TO-252-Grundfläche vorgesehen.

Welche Kanalpolarität verwendet er?

Er verwendet einen N-Kanal-Leitungsmodus für die Schaltsteuerung.

Ist sie für die Konformität mit eingeschränkten Stoffen zugelassen?

Er verfügt über eine RoHS-Zulassung für den Einsatz in Anwendungen, die die Einhaltung eingeschränkter Stoffe erfordern.

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den er verarbeiten kann?

Er ist für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 30 A ausgelegt.