Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 30 A PG-TO-252

RS Best.-Nr.:: 260-5128
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N06S2L23ATMA3
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 30 A PG-TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 260-5128
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N06S2L23ATMA3
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Gehäusegröße	PG-TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Gehäusegröße PG-TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD30N06S2L23ATMA3

Der N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon arbeitet im Verstärkungsmodus. Seine maximale Verlustleistung beträgt 100 W. Dieser MOSFET-Transistor hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.

N-Kanal-Verbesserungsmodus

Extrem niedrige Rds(on)

100 % Lawinengeprüft

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 30 A PG-TO-252

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