Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 71 W, 3-Pin IPD90N04S4L04ATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD90N04S4L04ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET für den normalen Betrieb, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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