Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 71 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 229-1837
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
CHF.5.46
Auf Lager
- Zusätzlich 14'370 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.0.364 | CHF.5.41 |
| 75 - 135 | CHF.0.354 | CHF.5.25 |
| 150 - 360 | CHF.0.343 | CHF.5.11 |
| 375 - 735 | CHF.0.333 | CHF.4.99 |
| 750 + | CHF.0.323 | CHF.4.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1837
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET für den normalen Betrieb, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.
Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 71 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 35 A 71 W, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 90 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 81 W, 3-Pin TO-252