Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 20 A 54 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 229-1840
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S409ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 229-1840
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S409ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | IPG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal mit normalem Pegel | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie IPG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal mit normalem Pegel | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 5.9 mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Zweikanal-MOSFET mit Normalpegel von Infineon hat die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße. Das freiliegende Pad bietet eine ausgezeichnete Wärmeübertragung. Es handelt sich um zwei n-Kanal in einem Gehäuse mit 2 isolierten Kabelrahmen.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
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