Infineon IPG Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 20 A TDSON

RS Best.-Nr.:: 259-1555
Herst. Teile-Nr.:: IPG20N04S4L08ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPG Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 20 A TDSON

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RS Best.-Nr.:: 259-1555
Herst. Teile-Nr.:: IPG20N04S4L08ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Zweifach N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	IPG
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	P
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Zweifach N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie IPG
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus P
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPG20N04S4L08ATMA1

Der Infineon-Kfz-MOSFET, zweifach SS08 (5 x 6), optimos-T2. Er ist ein Dual-Super-S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen in der Leiterplattenfläche und eine Senkung der Kosten auf Systemebene zu erreichen. Es handelt sich um einen größeren Quellkabelrahmenanschluss für das Verbinden von Drähten.

Zweifacher N-Kanal-Logikpegelverbesserungsmodus

AEC Q101-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Produkt (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

Infineon IPG Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 20 A TDSON

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