Infineon Zweifach N BSD840N Typ N-Kanal 2, SMD OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren 20 V Zweifach N / 880 mA 400 mW, 6-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
BSD840NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

880mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Serie

BSD840N

Montageart

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Zweifach N

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

750mV

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.26nC

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Zweifach N

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Kleinsignal-Transistoren der Serie BSD840N OptiMOSTM2 von Infineon, 20 V Drain-Source-Spannung, 0,88 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSD840NH6327XTSA1


Dieses Kleinsignal-Transistor-Gerät optimostm2 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, der für kompakte Signalverarbeitungs- und Schaltaufgaben in Umgebungen in Automobilqualität entwickelt wurde. Er arbeitet mit niedriger Gate-Spannung und bietet ein Gleichgewicht zwischen Einschaltwiderstand und Strombelastbarkeit für Steuerkreise in beengten Layouts. Das Gehäuse und die Konstruktion eignen sich für die Implementierung auf Board-Ebene, wo thermische Beständigkeit und vorgeschriebene Materialstandards erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 400 mΩ Rds reduzieren Leitungsverluste für Schaltvorgänge mit geringem Stromverbrauch
• Maximale Gate-Schwelle von 0,75 V ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
• Gate-Ladung von 0,26 nC minimiert den Schaltenergie- und Antriebsbedarf
• 0,88 A Dauerstrom unterstützt zuverlässig bescheidene Lastströme
• Die maximale Temperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen

Anwendungsbereich


• Geeignet für die Schaltung von Zweikanal-Signalen in der Automobilelektronik
• Ideal für Niederspannungs-Gate-Drive-Stromverwaltungsschaltkreise
• Verwendung mit kompakten Board-Layouts, die ein SOT-363-Gehäuse erfordern
• Kann zum Schalten von Sensorschnittstellen in rauen Umgebungen verwendet werden
• Wird für Dual-MOSFET-Anordnungen in Steuermodulen verwendet

Welche Gehäusetypen werden für kompakte Designs verwendet?


Er wird in einem SOT-363-Gehäuse mit sechs Stiften geliefert, das für die dichte Platzierung von Leiterplatten geeignet ist.

Welchen Automobilstandard erfüllt er für die Qualifizierung?


Er erfüllt einen Qualifizierungsstandard für Automobilkomponenten, der für diskrete Halbleiter gilt.

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.

Wie viele Transistoren sind pro Chip erhältlich und wie sind sie konfiguriert?


Der Chip enthält zwei Elemente, die als Dual-N-Konfiguration angeordnet sind.

Welche Material- und Umweltnormen gelten für die Konstruktion?


Das Gerät entspricht RoHS- und den einschlägigen IEC-Materialspezifikationen.

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