Infineon IPI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 136 A IPI029N06NAKSA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.5.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 460 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.2.73CHF.5.47
20 - 48CHF.2.457CHF.4.93
50 - 98CHF.2.30CHF.4.60
100 - 198CHF.2.132CHF.4.26
200 +CHF.1.995CHF.3.98

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3885
Herst. Teile-Nr.:
IPI029N06NAKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

136A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPI

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungs-Transistor von Infineon ist optimiert für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und DC/DC-Konverter mit schneller Schaltung.

40 % Verbesserung der FOM gegenüber ähnlichen Geräten

RoHS-konform – halogenfrei

MSL1-Zulassung

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Verwandte Links