Infineon IPI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 136 A TDSON

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RS Best.-Nr.:
258-3884
Herst. Teile-Nr.:
IPI029N06NAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

136A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

IPI

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungs-Transistor von Infineon ist optimiert für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und DC/DC-Konverter mit schneller Schaltung.

40 % Verbesserung der FOM gegenüber ähnlichen Geräten

RoHS-konform – halogenfrei

MSL1-Zulassung

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

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