Infineon IPI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 214-9064
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI120N08S403AKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 214-9064
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI120N08S403AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPI | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 128nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 23.45mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPI | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 128nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 23.45mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Verwandte Links
- Infineon IPI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-262
- Infineon IPI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 136 A TDSON
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 72 A, 3-Pin TO-262