Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-262

RS Best.-Nr.:: 892-2166
Herst. Teile-Nr.:: IPI086N10N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-262

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 892-2166
Herst. Teile-Nr.:: IPI086N10N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-262
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	42nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	11.177mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.57mm
	Länge	10.36mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-262
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 11.177mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.57mm
	Länge 10.36mm
	Automobilstandard Nein

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 80 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 125 W maximale Verlustleistung - IPI086N10N3GXKSA1

Dieser MOSFET wurde für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen entwickelt und eignet sich für verschiedene Bereiche, einschließlich Automatisierung und Elektronik. Mit einem kontinuierlichen Drain-Strom von 80 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V bietet er eine zuverlässige und effiziente Lösung für elektronische Systeme.

Eigenschaften und Vorteile

• N-Kanal-Design optimiert die elektrische Leistung

• Niedriger RDS(on) reduziert Leistungsverluste

• Hohe Verlustleistungsfähigkeit für intensive Anwendungen

• Verbesserte Gate-Schwelle verbessert die Schalteffizienz

• Durchgangslochmontage ermöglicht einfache Integration in Schaltkreise

Anwendungsbereich

• Verwendung für Hochfrequenzschaltungen in Stromversorgungen

• Erleichtert die synchrone Gleichrichtung in Umrichterschaltungen

• Geeignet für industrielle Automatisierungssysteme, die eine effiziente Leistungssteuerung erfordern

• Anwendung in verschiedenen elektronischen Geräten zur Verbesserung der Energieeffizienz

• Geeignet für die Automobilindustrie die eine gleichbleibende Leistung erfordern

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) bei diesem Gerät?

Der niedrige RDS(on)-Wert minimiert die Energieverluste beim Schalten und erhöht die Gesamtleistung des Systems.

Wie verhält sich der MOSFET bei hohen Temperaturen?

Er ist für Temperaturen von bis zu 175 °C ausgelegt und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung auch unter schwierigen Umgebungsbedingungen.

Welche Befestigungsart ist für dieses Bauteil erforderlich?

Er zeichnet sich durch eine Durchgangslochmontage aus, die eine unkomplizierte Integration in bestehende PCB-Layouts ermöglicht.

Ist es für den Einsatz in der Synchrongleichrichtung geeignet?

Ja, er wurde speziell für die effiziente Synchrongleichrichtung in der Leistungselektronik entwickelt, was insgesamt zu Energieeinsparungen führt.

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.