Infineon IPP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin IPP120P04P4L03AKSA2 TO-220

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229-1847
Herst. Teile-Nr.:
IPP120P04P4L03AKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.54mm

Breite

15.95 mm

Länge

15.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC

Infineon Serie IPP MOSFET, 120A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IPP120P04P4L03AKSA2


Dieser Silizium-MOSFET ist für hohe Leistung in verschiedenen Anwendungen ausgelegt. Das Bauteil verfügt über ein TO-220-Gehäuse, das die Fähigkeit zur effektiven Wärmeableitung verbessert. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 120 A und einer Drain-Source-Spannung von 40 V bietet er eine hervorragende Betriebsflexibilität in anspruchsvollen Umgebungen. Der MOSFET arbeitet über einen weiten Temperaturbereich hinweg effizient und eignet sich daher für Automobil- und Industrieanwendungen.

Eigenschaften und Vorteile


• P-Kanal-Anreicherungsmodus gewährleistet effiziente Schaltleistung

• AEC-qualifiziert, erfüllt strenge Automobilstandards

• Maximale Betriebstemperatur von +175°C für anspruchsvolle Anforderungen

• MSL1-Einstufung unterstützt Hochtemperatur-Reflow-Prozesse

Anwendungen


• Einsatz in Kfz-Steuerungssystemen für effizientes Energiemanagement

• Effektiv für den Antrieb von Elektromotoren in der Robotik

• Eingebaut in Stromversorgungsschaltungen von Industriemaschinen

• Geeignet für Unterhaltungselektronik, bei der es auf kompakte Größe ankommt

Welche Bedeutung hat die Angabe des maximalen Dauerableitstroms?


Der maximale Dauerstrom gibt den höchsten Strom an, den das Gerät unter normalen Betriebsbedingungen verarbeiten kann, was für die Gewährleistung der Zuverlässigkeit bei Anwendungen, die eine hohe Stromkapazität erfordern, von wesentlicher Bedeutung ist.

Wie trägt der niedrige Rds(on) zur Leistungseffizienz bei?


Ein niedriger Rds(on) reduziert die Leistungsverluste während des Betriebs, wodurch die Geräte kühler laufen und die Energieeffizienz des Gesamtsystems verbessert wird, was insbesondere bei batteriebetriebenen Designs von Vorteil ist.

Welche Sicherheitsmerkmale bietet diese Komponente für raue Umgebungen?


Dieser Baustein ist zu 100 % avalanche-getestet und kann somit transiente Bedingungen ohne Ausfälle überstehen, was für den Schutz von Schaltkreisen in unvorhersehbaren Umgebungen, wie z. B. in Automobil- und Industrieanwendungen, entscheidend ist.

Welche Leistungsmerkmale sollte man bei der Integration dieser Komponente in bestehende Systeme berücksichtigen?


Schlüsseleigenschaften wie die Gate-Schwellenspannung, die maximale Gate-Source-Spannung und der Wärmewiderstand sollten bewertet werden, um die Kompatibilität mit bestehenden Schaltungsdesigns zu gewährleisten und die Leistung zu optimieren.

Wie verbessert der Betriebstemperaturbereich die Verwendbarkeit in verschiedenen Anwendungen?


Mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C ist dieser MOSFET vielseitig genug für den Einsatz in einem breiten Spektrum von Anwendungen, von extrem kalten Umgebungen bis hin zu Hochtemperatur-Betriebseinstellungen.

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