Infineon IPP N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-1058
Herst. Teile-Nr.:
IPP015N04NF2SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

193A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.86V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Höhe

4.75mm

Breite

10.67mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

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