Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-1058
Herst. Teile-Nr.:
IPP015N04NF2SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

193A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPP

Gehäusegröße

TO-220

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.86V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Länge

15.8mm

Höhe

4.75mm

Breite

10.67 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

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