Infineon IPP N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 113 A 107 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-1061
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP033N04NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1000 Stück, in einer Stange mit 1000)*
CHF 424.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF 0.424 | CHF 425.21 |
| 2000 - 2000 | CHF 0.404 | CHF 400.97 |
| 3000 + | CHF 0.394 | CHF 390.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1061
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP033N04NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 113A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 107W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.67mm | |
| Höhe | 4.75mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 113A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 107W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.67mm | ||
Höhe 4.75mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Fähig zum Wellenlöten
Verwandte Links
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 113 A 107 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 109 A 107 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 201 A 375 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 197 A 250 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 62 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-220