Infineon IPP N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-1057
Herst. Teile-Nr.:
IPP015N04NF2SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

193A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

860mV

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.67mm

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Höhe

4.75mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

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