Infineon IPP N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 1000 Stück)*

CHF.667.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
1000 +CHF 0.667CHF 664.58

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-1057
Herst. Teile-Nr.:
IPP015N04NF2SAKMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

193A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Durchlassspannung Vf

0.86V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Breite

10.67mm

Höhe

4.75mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.