Infineon IPP N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 197 A 250 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-1056
Herst. Teile-Nr.:
IPP013N04NF2SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

197A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

159nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

850mV

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Hoher Nennstrom

Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard

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