onsemi UniFET II N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 229-6327
- Herst. Teile-Nr.:
- FDT4N50NZU
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | UniFET II | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie UniFET II | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor UniFET II Hochspannungs-MOSFET basiert auf Advanced planar Streifen- und DMOS-Technologie. Dieser Advanced MOSFET hat den kleinsten Betriebswiderstand unter dem planaren MOSFET und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Lawinenenergiefestigkeit. Es ist geeignet für Schaltleistungswandleranwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur, Flachbildschirm-Display, TV-Leistung, ATX- und elektronische Lampenstarter.
Extrem niedrige Gate-Ladung
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-konform
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