onsemi UniFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 4.5 A 28 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 864-8616
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF5N50FT
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Serie | UniFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 500 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 4.5 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 28 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.5 V | |
| Höhe | 16.07 mm | |
| Länge | 10.36 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 1.55 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 11 nC | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Serie UniFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 500 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 4.5 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 28 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.5 V | ||
Höhe 16.07 mm | ||
Länge 10.36 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 1.55 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 11 nC | ||
Breite 4.9 mm | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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