onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 33 A 37 W, 3-Pin FDPF33N25T TO-220F

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.13.495

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 13. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +CHF.2.699CHF.13.49

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
903-4166
Herst. Teile-Nr.:
FDPF33N25T
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

UniFET

Gehäusegröße

TO-220F

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

94mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.07mm

Länge

10.36mm

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

Nein

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links