onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 145 A 500 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
229-6441
Herst. Teile-Nr.:
NTBG015N065SC1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiC Power

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

4.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

283nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.2mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET der on Semiconductor SiC Power-Serie verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung.

Höchster Wirkungsgrad

Schnellere Betriebsfrequenz

Erhöhte Leistungsdichte

Verminderte elektromagnetische Störungen

Geringere Systemgröße

Verwandte Links