onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 203 A 240 W, 7-Pin NTBGS004N10G TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.12.222

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.6.111CHF.12.22
20 - 198CHF.5.271CHF.10.53
200 +CHF.4.568CHF.9.14

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6446
Herst. Teile-Nr.:
NTBGS004N10G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

203A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiC Power

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.7 mm

Länge

10.2mm

Höhe

9.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Leistungs-MOSFET verfügt über robuste Technologie für höchste Zuverlässigkeit. Er wurde speziell für breite SOA-Anwendungen über einen 48-V-Bus entwickelt.

Hot-Swap-tolerant mit überlegener SOA-Kurve

Erfüllt ROHS

Verringert Leitungsverlust

Verwandte Links