onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 203 A 240 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
229-6445
Herst. Teile-Nr.:
NTBGS004N10G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

203A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiC Power

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Höhe

9.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Leistungs-MOSFET verfügt über robuste Technologie für höchste Zuverlässigkeit. Er wurde speziell für breite SOA-Anwendungen über einen 48-V-Bus entwickelt.

Hot-Swap-tolerant mit überlegener SOA-Kurve

Erfüllt ROHS

Verringert Leitungsverlust

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