onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 41.9 A 80.6 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 229-6468
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS022N15MC
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 229-6468
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS022N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | NTMFS | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie NTMFS | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
Verwandte Links
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 41.9 A 80.6 W, 8-Pin SO-8
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 31 A 2.5 W, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 237 A 128 W, 8-Pin SO-8
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 110 A 187 W, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 61 A 78.1 W, 8-Pin DFN
- onsemi NTMF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 120 V / 79 A 102 W, 8-Pin SO-8
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 273 A 121 W, 8-Pin SO-8FL