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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	237A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SO-8
	Serie	NTMFS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	93nC
	Maximale Verlustleistung Pd	128W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	5.3mm
	Länge	6.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 237A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SO-8
	Serie NTMFS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC
	Maximale Verlustleistung Pd 128W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 5.3mm
	Länge 6.3mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NTMFS5C426NLT1G

Der on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand und eine niedrige Gate-Ladung. Er hat 237 A Drain-Strom. Er wird in Point-of-Load-Modulen, Hochleistungs-DC/DC-Wandlern und DC-Motorantreitern eingesetzt.

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimierung von Schaltverlusten

Platzsparend, thermisch verbessert

onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 237 A 128 W, 8-Pin SO-8

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