onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 110 A 187 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
229-6472
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS7D8N10GTWG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

NTMFS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.6mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

92nC

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Durchlassspannung Vf

0.84V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Minimierung von Leitungsverlusten

Hohe Peak-UIS-Strombelastbarkeit für Robustheit

Halogenfrei

Bleifrei

Verwandte Links