onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 110 A 187 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6472
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6472
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- NTMFS7D8N10GTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.84V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.84V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Minimierung von Leitungsverlusten
Hohe Peak-UIS-Strombelastbarkeit für Robustheit
Halogenfrei
Bleifrei
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