onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 175 A 293 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
229-6484
Herst. Teile-Nr.:
NTMTS4D3N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

175A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

293W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.2 mm

Höhe

8.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.

Minimierung von Leitungsverlusten

Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität

Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen

Reduziert Schaltspitzen

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