onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 175 A 293 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6485
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.7.182 | CHF.14.35 |
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6485
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 175A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 293W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 8.5mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 175A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 293W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 8.5mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.
Minimierung von Leitungsverlusten
Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität
Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen
Reduziert Schaltspitzen
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