onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 175 A 293 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6485
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.13.816
Nur noch Restbestände
- Letzte 214 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.6.908 | CHF.13.81 |
| 20 - 198 | CHF.5.949 | CHF.11.90 |
| 200 + | CHF.5.151 | CHF.10.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-6485
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTS4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 175A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 293W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.5mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 175A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 293W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.5mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.
Minimierung von Leitungsverlusten
Hoher Peak Strom und niedrige parasitäre Induktivität
Bietet eine größere Designspanne für thermisch angegriffte Anwendungen
Reduziert Schaltspitzen
Verwandte Links
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 175 A 293 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A 293 W, 8-Pin TDFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 165 A 292 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 135 A 245 W, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 268 A 150 W, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5C420NWFT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 268 A 150 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS0D8N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 337 A 150 W, 8-Pin DFN