onsemi Isoliert Typ N-Kanal, Fahrgestell SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A 950 W, 36-Pin F2

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NXH006P120MNF2PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

304A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

F2

Montageart

Fahrgestell

Pinanzahl

36

Durchlassspannung Vf

6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

950W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

847nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

17mm

Länge

63.3mm

Breite

57 mm

Normen/Zulassungen

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Automobilstandard

Nein

Das on Semiconductor Leistungsmodul enthält eine 1200-V-SiC-MOSFET-Halbbrücke und einen Thermistor in einem F2-Gehäuse. Er wird typischerweise in Solarwechselrichtern, USV, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und in der industriellen Stromversorgung eingesetzt.

Optionen mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien

Optionen mit lötbaren Stiften und Presssitzstiften

Bleifrei

RoHS-konform

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